特許

J-GLOBAL ID：200903019195654610

熱電材料及びその製造方法

発明者： 及川 靖 ,  尾崎 肇
出願人/特許権者： 学校法人早稲田大学
代理人 (1件)： 牛木 護
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087080
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282962
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 β相の厚膜を基板上に作製する際に、FeとSiの合金ターゲットを用いたスパッタ法等や従来の厚膜作製法と比較して、組成ずれが少ない純粋なβ相を基板上に形成した熱電材料の製造方法を提供する。【解決手段】 Fe粉末とSiの単体元素の粉末を1:2の元素比で混合する。この混合粉末から加圧成形して成形体2とし、この成形体2をFeスパッタ膜を形成したSi基板3とともに石英管1に真空状態で封入し、続いて熱処理する。この熱処理は、石英管1を前記成形体2の近傍で875〜1025°Cとする。また、前記成形体2の近傍以外では450°C以上とするのが好ましい。

請求項（抜粋）：

Fe,Co,Ni,Cr,Ti,Cu,Mn,Al,V,Pt,Pd,Nb,Ta,W,Mo,Zrから選択した1種または2種以上の金属単体粉末とSi単体元素の粉末とを加圧成形し、得られた成形体と基板とを同時に高融点材料からなる容器に真空状態あるいは不活性ガス雰囲気下で封入して熱処理することにより、前記基板上に金属シリサイドの結晶を形成したことを特徴とする熱電材料。

IPC (3件)：

H01L 35/14 ,  C23C 10/28 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L 35/14 ,  C23C 10/28 ,  H01L 35/34

Fターム (6件)：

4K028CA01 ,  4K028CA05 ,  4K028CA07 ,  4K028CB01 ,  4K028CC01 ,  4K028CD01