特許

J-GLOBAL ID：200903019196752836

シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： 伊藤 誠人
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-367434
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186121
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 ツェナーダイオードに使用される<111>結晶軸のN型ウエーハにおいて、ウエーハ面内の抵抗率分布を均一化する。【解決手段】 CZ法又はFZ法を用いてリン等のV族元素がドーピングされたN型のシリコン単結晶3を育成する際に、シリコン単結晶3の中心軸を<111>結晶軸に対して1〜6°傾斜させる。育成されたシリコン単結晶3からウエーハを切り出す際に、上記傾斜角度に対応する角度でシリコン単結晶3を斜めに切断することにより、<111>結晶軸をもつN型ウエーハを採取する。

請求項（抜粋）：

V族元素がドーピングされた<111>結晶軸のN型ウエーハであって、ウエーハ面内の抵抗率分布がΔρ=(ρmax -ρmin )/ρmin ×100%で表して10%以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 Z