特許

J-GLOBAL ID：200903019198885043

MIS型半導体装置およびその作製方法

発明者： 須沢 英臣 ,  山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-315633
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153875
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 ゲイトオーバーラップ低濃度ドーピング不純物領域(GOLD)を形成する方法をを提供する。【構成】 酸化珪素を主成分とする材料によってゲイト絶縁膜を、また、シリコン等によってゲイト電極を形成したのち、低濃度不純物領域を形成し、ゲイト電極を覆って、シリコンを主成分とする被膜を全面に形成する。そして、ClF3等の雰囲気において、シリコンを主成分とする被膜を異方性エッチングもしくは準異方性エッチングすることによって、ゲイト電極の側面にシリコンを主成分とするサイドウォールを形成する。このエッチング工程において、サイドウォールとゲイト絶縁膜とは十分に選択比が大きいため、ゲイト絶縁膜のエッチングは無視できる程度となる。その後、サイドウォールをマスクとして高濃度の不純物をドーピングし、ソース/ドレインを形成する。

請求項（抜粋）：

ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極の中央部と、該ゲイト電極の中央部の側面に密着して形成されたシリコンを主成分とするゲイト電極の側部とを有し、前記ゲイト電極の側部には、ドレイン(もしくはソース)およびチャネル形成領域に挟まれた低濃度不純物領域を有し、ゲイト電極の側部を構成する被膜は、ゲイト電極の中央部が形成された後に成膜され、フッ化ハロゲンを有する雰囲気において異方性もしくは準異方性エッチングすることにより形成されたことを特徴とするMIS型半導体装置

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 29/78 301 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 C ,  H01L 29/78 301 P