特許

J-GLOBAL ID：200903019199131140

トランジスターの製造方法

発明者： クオ-ファ リー ,  チェン-ファ ダグラス ユー
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-339367
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251376
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 p+ トランジスターゲートの製造方法において、p型ドーピング剤物質がゲート酸化物(13)を通って基材(11)に浸透するのを防止する。【構成】 基材(11)の上に位置するポリシリコン層(15)の形成を含む半導体集積回路の製造方法であって、前記ポリシリコン層(15)の上に無定形の耐熱性金属ケイ化物層(17)を形成すること、p型ドーピング剤物質(23)を前記耐熱性金属ケイ化物(17)に向けること、前記p物質の大部分が前記ポリシリコン層に移動するのに十分高い温度でアニールすることを特徴とする方法である。

請求項（抜粋）：

基材(11)の上に位置するポリシリコン層(15)の形成を含む半導体集積回路の製造方法であって、前記ポリシリコン層(15)の上に無定形の耐熱性金属ケイ化物層(17)を形成すること、p型ドーピング剤物質(23)を前記耐熱性金属ケイ化物(17)に向けること、前記p物質の大部分が前記ポリシリコン層に移動するのに十分高い温度でアニールすることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/225 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭62-131561