スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352410
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220671
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】基板の表面にわたって均一な大面積高密度のプラズマを作り、更に、ターゲットプレート上への膜の両付着を防止できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】スパッタ処理応用のためのプラズマ処理装置は、上部および下部の電極と呼ばれる2つの平行な容量結合型電極11,14、上部電極の外側領域にわたって多極マグネット配列を備える反応容器10によって構成される。マグネット21は上部電極の上で回転するため金属リングの上に組み付けられる。ターゲットプレート18は、高周波rf電流のみが与えられる、または高周波rf電流とDC電圧が共に与えられる上部電極に固定される。基板19が配置される下部電極は、基板の表面上のコンタクトホールを満たすイオン化されたスパッタ原子を取り出すため、下部電極上に負の自己バイアス電圧を生成するようにMF,HFまたはVHFのrf電流が与えられる。

請求項（抜粋）：

平行な容量結合型の上部および下部の電極を含む反応容器であり、前記電極は前記反応容器の少なくとも一部を横切って互いに向かい合い、処理されるべき基板が前記下部電極の上に搭載され、かつターゲット部材が前記上部電極の下側に設けられる前記反応容器と、前記上部電極と前記下部電極にAC電力をそれぞれ供給するAC電力源と、前記上部電極の外側領域で半径方向に設けられた複数のマグネットと、そして前記上部電極の中心軸の周りに前記複数のマグネットを移動させる機構と、からなることを特徴とするスパッ成膜応用のためのプラズマ処理装置。

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