特許

J-GLOBAL ID：200903019205545024

薄膜形磁気誘導素子

発明者： 斎藤 明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276387
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132131
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】薄膜導体のコイルと磁路用の磁性薄膜とを積層した薄膜形磁気誘導素子の内部に分布する寄生キャパシタンスの影響を減少させてその高周波性能を向上する。【構成】銅等の高導電性金属の薄膜導体23から形成されたコイルを強磁性体金属の磁性薄膜21と25で挟み込んだ構造の薄膜形の磁気誘導素子20に対し、その磁性薄膜21と25にスリット21aと25aをコイルの導体23aが延びる方向と平行に設け、導体23aの相互間に寄生キャパシタンスが磁性薄膜21や25内の低い抵抗を介して回り込むように接続される経路を断つことにより、寄生キャパシタンスに起因する磁気誘導素子20の等価キャパシタンスを従来の数分の1程度以下に減少させてその高周波特性を高める。

請求項（抜粋）：

平板状のコイルに形成された薄膜導体とコイル電流による発生磁束に対する磁路を形成する磁性薄膜とを積層してなる磁気誘導素子であって、磁性薄膜に対してコイル内で導体が延びる方向と平行な方向にスリットを設けることを特徴とする薄膜形磁気誘導素子。