特許
J-GLOBAL ID：200903019206776844
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-185821
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005920
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 p型ZnSe層を用いた発光素子において、p側電極のオーム性接触を実現することにより、動作に必要な印加電圧の低減を図るとともに、素子特性の向上を図る。【構成】 n型ZnSe層2とp型ZnSe層3とから成るpn接合を有するZnSe系発光素子において、p型ZnSe層3上にp型ZnTe層4を設け、このp型ZnTe層4上にp側電極としてのAu電極5を設ける。
請求項（抜粋）：
p型ZnSe層を用いた発光素子において、上記p型ZnSe層上にp型ZnTe層が設けられ、上記p型ZnTe層上に金属から成るp側電極が設けられていることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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