特許

J-GLOBAL ID：200903019210609146

トンネルトランジスタ

発明者： 馬場 寿夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265749
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110086
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 トンネル電流が大きく、高速動作が可能なトンネルトランジスタを提供すること。【構成】 p- -Si基板1上にp+ -Siソース領域(第1の半導体2)、n+ -Siドレイン領域(第2の半導体3)を形成する。MBEで厚さ10nm、3×101 9 cm- 3 のn+ -Si(第3の半導体4)を成長し、表面を熱酸化して10nmのSiO2 (絶縁膜5)を形成する。第3の半導体4の厚さは5nmとなる。SiO2 上にゲート電極6を形成後、Al蒸着によりソース及びドレイン電極7、8を形成する。ソース・ドレイン間に電圧を印加すると、第3の半導体4(n+ -Si)が第1の半導体2および第2の半導体3に接しているため、第1の半導体2と第3の半導体4の間のp+ -n+ トンネル接合および第3の半導体4と第2の半導体3の間のn+ -n+ オーミック接合を通して、ソース・ドレイン間には大きな電流が流れる。

請求項（抜粋）：

不純物濃度の低い基板の一部に一導電型を有する縮退した第1の半導体と該第1の半導体と反対の導電型を有し縮退した第2の半導体を有し、第1の半導体と第2の半導体上にまたがって第2の半導体と同一導電型を有する縮退した薄い第3の半導体を有し、第1の半導体の上の第3の半導体表面に第3の半導体よりも禁止帯幅が広い材料からなる絶縁層とこの絶縁層上の電極を有し、第1の半導体と第2の半導体にそれぞれオーミック接合を形成する1対の電極を有することを特徴とするトンネルトランジスタ。