特許
J-GLOBAL ID:200903019210941019

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鹿嶋 英實
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-139524
公開番号(公開出願番号):特開2002-334976
出願日: 2001年05月10日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】 製品不良や故障を招かずに工程タクトの改善を図れる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線板11に光を通過可能な開口部12を形成し、配線板における開口部12側の端部にパッド13を形成し、パッド13上にバンプ14を形成する。一方、固体撮像素子15に光を入射する受光部16を配置し、固体撮像素子15の受光部16を有する面側にパッド17を形成し、配線板11の開口部12に受光部16が臨むように固体撮像素子15を配置する。そして、配線板11のパッド13に固体撮像素子15のパッド17をバンプ14を介して接合する。これにより、固体撮像素子15のパッド17上にバンプ14を形成する工程をなくす。
請求項(抜粋):
配線が形成される配線板に光を通過可能な開口部を形成し、該配線板における開口部側の端部にパッドを形成する工程と、前記配線板のパッド上にバンプを形成する工程と、光を電気信号に変換する固体撮像素子に光を入射する受光部を配置し、該固体撮像素子の受光部を有する面側にパッドを形成する工程と、前記配線板の開口部に受光部が臨むように前記固体撮像素子を配置し、前記配線板のパッドに前記固体撮像素子のパッドをバンプを介して接合する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 27/14 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 31/02
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 B
Fターム (20件):
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GD03 ,  4M118GD07 ,  4M118HA02 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA31 ,  5F044KK16 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ00 ,  5F088BA16 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088JA01 ,  5F088JA09 ,  5F088JA20

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