特許
J-GLOBAL ID:200903019214046286

低輝度を有する電子ビーム・リソグラフィ・システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-239415
公開番号(公開出願番号):特開平9-139344
出願日: 1996年09月10日
公開日(公表日): 1997年05月27日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 電子銃を使用することによって高解像度と共に高スループットを達成する、直接書込み応用例のための照射電子ビーム・システムを提供する。【解決手段】 アパーチャを効率的に通過するわずかに発散するビームを用いて最初のアパーチャを均一に照射するため、大きい放射面と低い輝度を有する電子銃と、第1可変軸レンズがレティクルに最初のアパーチャの像を集束させ、第2可変軸レンズがパターンを与えられたビームを平行化する、システム軸に平行にレティクル上でビームを走査して各露光でレティクルのサブフィールドのパターンを印像づけるための制御可能なデフレクタの第1組と、ウエハ上の適当な位置にビームを戻すための制御可能なデフレクタの第2組と、各サブフィールドによって異なる可能性がある収差補正を適用するための補正要素と共にウエハ上にレティクル・サブフィールドの像を集束させるための第3可変軸レンズとを使用する。
請求項(抜粋):
10μA超の電流を有し103A/cm2sr未満の輝度を有する発散する初期電子ビームを放射カソードから、それぞれあるサブフィールド面積を有する複数のレティクル・サブフィールドでレティクル・パターンを担持するレティクルへ転送するために組み合わされる、ある放射カソード面積を有する前記放射カソードと加速アノードとを含む、システム軸に沿って電子ビームを加速するための手段および電子ソースと、前記レティクルの第nサブフィールドを通るように前記電子ビームを向け、これによって前記ビームに前記レティクル・パターンの前記第nサブフィールド部分のパターンが与えられるようにする手段と、前記レティクル・パターンの前記第nサブフィールド部分に対応する第nウエハ・サブフィールドを形成するため、ウエハに前記電子ビームによって担持された前記第nサブフィールド部分の像を照射するための、前記システム軸に沿って配置され、前記電子ビームに割り込む磁気集束手段とを含む、ウエハにパターンを書き込むための照射電子ビーム・システム。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  H01J 37/305
FI (4件):
H01L 21/30 541 B ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 S ,  H01L 21/30 541 J

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