特許

J-GLOBAL ID：200903019215086800

半導体装置およびその製造方法

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163041
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017004
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 リフロー性の良いAl合金膜による、エレクトロマイグレーション耐性の大きい配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 加熱時にH2 Oガス放出の殆ど無い、リフロー後のBPSG膜による層間絶縁膜12やプラズマCVD酸化膜による層間絶縁膜19と、層間絶縁膜12、19上の、加熱時にH2 Oガスを放出するO3 -TEOS酸化膜による絶縁薄膜30、32と、絶縁薄膜30、32上のTiN/Ti膜15、34と、TiN/Ti膜膜15、34上のAl合金膜16、35とを有して半導体装置を構成する。【効果】 信頼性の高い、高集積化した半導体装置の作製が可能となる。

請求項（抜粋）：

Al合金膜による配線を有する半導体装置において、加熱時にH2 Oガス放出の殆ど無い層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の、加熱時にH2 Oガスを放出する絶縁薄膜と、前記絶縁薄膜上のTi系膜と、前記Ti系膜上の前記Al合金膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/88 N