特許

J-GLOBAL ID：200903019216873775

窒化ガリウム単結晶の製造方法

発明者： 坂井田 敏昭
出願人/特許権者： 株式会社オー・ティ・ティ・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396230
公開番号（公開出願番号）：特開2002-161000
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】【課題】窒化ガリウム単結晶の欠陥を低減することと、単結晶基板の反りを小さくする方法の開発。【解決手段】凸部の大きさが30ナノメーター以上、200ナノメーター以下の微細な凹凸を有するサファイア基板上に、HVPE成長法で窒化ガリウムを厚く成長させ、サファイア基板から剥離する窒化ガリウム単結晶製造方法。

請求項（抜粋）：

凸部の大きさが30ナノメーター以上、200ナノメーター以下の微細な凹凸を有するサファイア基板上に、塩化物気相成長法により窒化ガリウムを成膜することを特徴とする窒化ガリウム単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Fターム (14件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077TB04 ,  4G077TK04 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045DA53