特許
J-GLOBAL ID:200903019217548932
測色の向上したカラー画像センサ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-523014
公開番号(公開出願番号):特表2005-501421
出願日: 2002年08月30日
公開日(公表日): 2005年01月13日
要約:
本発明は非常に小型のカラー画像センサに関する。本発明のセンサは:半導体ウェハ(10)の前面に、画像検出回路を備え且つそれぞれが各画像センサに対応する一連の活性領域(ZA)を形成することと、ここで各活性領域は、感光領域で生成された電荷の収集を可能にする導電層及び絶縁層(14,16)で覆われた感光領域を備える;ウェハの前面を支持基板(20)の前面に対して移載することと;感光領域を備える薄い半導体層(30)を基板に残して、半導体ウェハの厚さの大部分を除去することと;こうして薄化された半導体層にカラーフィルタ(18)を堆積させ、エッチングすることからなる方法で製造される。【選択図】図5
請求項(抜粋):
-半導体ウェハ(10)の前面に、画像検出回路を備え且つそれぞれが各画像センサに対応する一連の活性領域(ZA)を形成することと、ここで各活性領域は、感光領域で生成された電荷の収集を可能にする、導電層(14)及び絶縁層(16)で覆われた感光領域(12)を備える
-ウェハ(10)の前面を支持基板(20)の前面に対して移載することと、
-感光領域を備える薄い半導体層(30)を基板に残して、半導体ウェハの厚さの大部分を除去することと、
-続いて、こうして薄化された半導体層にカラーフィルタ(18)を堆積させ、エッチングすることと、
からなるカラー画像センサの製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (13件):
4M118AB01
, 4M118BA03
, 4M118BA04
, 4M118CA03
, 4M118CA32
, 4M118EA18
, 4M118GA02
, 4M118GC07
, 4M118GC14
, 4M118HA25
, 4M118HA30
, 4M118HA31
, 4M118HA33
引用特許:
審査官引用 (3件)
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増幅型半導体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-196847
出願人:シャープ株式会社
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特開昭55-038024
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光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-041950
出願人:キヤノン株式会社
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