特許

J-GLOBAL ID：200903019226725073

半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 泰臣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-183985
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045676
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 ウェハの汚染を抵抗値の変化として客観的に確認できるようにして、素子の特性劣化の原因究明にあたっての指針及び製造履歴の把握並びに最適な製造設備への転換を効率よく促進させる。【構成】 ウェハ処理工程におけるシリコン基板21の抵抗変化を4探針法にて検出することができる抵抗検出部12を形成しながら固体撮像素子を製造する。この場合、シリコン基板21上に素子間分離のためのフィールド絶縁層28を形成した後、このフィールド絶縁層28に対して4つのコンタクトホール29a,29b,29c及び29dを形成し、その後、4つのコンタクトホール29a,29b,29c及び29dを介してシリコン基板21表面に不純物をイオン注入して、シリコン基板21表面に4つの不純物拡散領域38a,38b,38c及び38dを形成して抵抗検出部12を作製する。

請求項（抜粋）：

素子間分離工程、素子形成工程及び配線工程を有するウェハ処理工程を経てウェハ上に半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、上記ウェハ処理工程における上記ウェハの抵抗変化を4探針法にて検出することができる抵抗検出手段を形成しながら半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/14 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-178741
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186011   出願人：九州日本電気株式会社
• 特開昭63-234578