特許

J-GLOBAL ID：200903019239918237

単結晶SiCおよびその製造方法

発明者： 谷野 吉弥
出願人/特許権者： 日本ピラー工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172017
公開番号（公開出願番号）：特開平11-012100
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月19日
要約：

【要約】【課題】 格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少ない高品位の単結晶を生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1と非晶質もしくはβ-SiC多結晶板2とを平滑に研磨された研磨面1a,2aを介して密着させた後、その複合体Mを1850°Cの高温で、かつSiC飽和蒸気圧の雰囲気中で熱処理することにより非晶質もしくはβ-SiC多結晶板2を再結晶化してα-SiC単結晶基板1の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に育成させる。

請求項（抜粋）：

α-SiC単結晶基板と非晶質もしくはβ-SiC多結晶板とが平滑に研磨された研磨面を介して密着されてなる複合体を熱処理して上記非晶質もしくはβ-SiC多結晶板を再結晶化することにより、上記α-SiC単結晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に成長させている単結晶SiC。

IPC (3件)：

C30B 33/06 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/02

FI (3件)：

C30B 33/06 ,  C30B 29/36 A ,  C30B 33/02