特許

J-GLOBAL ID：200903019246031299

変成器及び増幅器

発明者： 楠 繁雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-093051
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222439
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、変成器及び増幅器において、自己共振周波数の低下が少なく、大きな相互インダクタンスを有する。【構成】半導体基板表面(11A)に第1の平面コイル(12A、31C、86A、96A、102A)を任意の導体のパターン配線により形成し、所定の厚さの絶縁層(13)を間に介して絶縁層表面(13A)に第1の平面コイル(12A、31C、86A、96A、102A)のパターン配線に沿つた形状の第2の平面コイル(12A、31A、31B、86B、96B、102A、102B)を任意の導体のパターン配線により形成することにより、大きな相互インダクタンスを得ることができ、5端子の出力用の第1の変成器(30)を用いて増幅器(45、75、81)を形成することによりB級プツシユプル動作による電力増幅ができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に導体のパターン配線により形成される第1の平面コイルと、上記第1の平面コイルを覆うように積層される絶縁層と、上記絶縁層の表面に上記第1の平面コイルのパターン形状に沿つて導体のパターン配線により形成される第2の平面コイルとを具えることを特徴とする変成器。

IPC (7件)：

H01F 17/00 ,  H01F 19/00 ,  H01F 30/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03F 3/19 ,  H03F 3/26

FI (6件)：

H01F 17/00 B ,  H01F 19/00 Z ,  H03F 3/19 ,  H03F 3/26 ,  H01F 31/00 D ,  H01L 27/04 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 膜変圧器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-243371   出願人：日本信号株式会社
• 特開昭60-021556