特許
J-GLOBAL ID：200903019248836626
ゾル-ゲル組成物及びそれから製造された高分子イオン伝導膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228238
公開番号（公開出願番号）：特開平11-166114
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】ポリアルキレングリコール-置換されたトリアルコキシシラン(PAGTAS)、ポリエチレングリコール及び/又はアルキルエーテル、テトラアルコキシシラン(TAOS)、塩酸、1種以上の有機溶媒及び/又はリチウム塩を混合し、場合によっては、濃縮して得られたゾル-ゲル組成物、上記得られた組成物を溶液加工法等の通常的な方法でコーティングして得られた高分子イオン伝導膜、及びそれらを用いた固体電気化学素子。【効果】相分離がなく、接着特性が強く、電極に対する接着力が強く、常温において1×10-4S/cm以上のイオン伝導度を有する高分子イオン伝導膜を提供できる。
請求項（抜粋）：
化学式1のポリアルキレングリコール-置換されたトリアルコキシシラン1〜90重量%、テトラアルコキシシラン(TAOS)10〜95重量%、塩酸、有機溶媒及び化学式2のポリアルキレングリコール及び/又はアルキルエーテル1〜90%、及び場合によっては、化学式3のアルカリ金属塩1〜70重量%を含むゾル-ゲル組成物。【化1】【化2】 R2 -O-(CR32 -CR32-O) Z -R2 (化学式2)【化3】A+ B- (化学式3)上記式等において:Rは、メチル、エチル、プロピル等を含む炭素数10以下の低級アルキル基であり、Xは、1乃至10の値を表し、R1 は、Rと同一の意味を表すか、又は-(CR32 -CR32-O) y -R(式中、yは1乃至50の値を表す。)であり、R2 は、H又はRと同一の意味を表し、R3 は、H、CH3 又はFを表し、Zは、1乃至50の値を有し、A+ は、Li+ 、Na+ 、K+ 等の陽イオンを表し、B- は、ClO4- 、CF3SO3- 、N(CF3SO3)2- 、BF4 - 、PF6 - 、AsF6- 等の陰イオンを表す。
IPC (10件)：
C08L 71/02
, B05D 5/12
, C08K 3/04
, C08K 3/24
, C08K 3/36
, C08K 5/54
, H01M 6/18
, H01M 10/40
, C08L 23:16
, C08L 27:14
C08L 71/02
, B05D 5/12 B
, C08K 3/04
, C08K 3/24
, C08K 3/36
, C08K 5/54
, H01M 6/18 E
, H01M 10/40 B
