ソース、ドレイン、及びゲートを有する電気機械的ナノチューブトンネル装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 鶴田準一 , 島田哲郎 , 水谷好男 , 伊坪公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-513104
公開番号（公開出願番号）：特表2008-502125
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

本発明は、長手方向及び横方向の延長部を有するナノチューブと、ナノチューブの少なくとも第1部分を支持する構造と、その横方向の延長部によって定義されている第1方向においてナノチューブに対して力を作用させる第1手段と、を有するナノチューブ装置(100)に関するものである。ナノチューブの少なくとも第2部分は、力が一定のレベルを超過した際に、ナノチューブの第2部分がその横方向の延長部の方向において曲がり、これによって第1電気回路を閉じるように、構造の支持部を超えて突出している。好適には、力をナノチューブに対して作用させる第1手段は、電気的な手段であり、この力は、電圧をこの手段に印加することによって生成される。本装置は、ソース及びドレイン電極の両方において量子力学トンネル現象を実現する。

請求項（抜粋）：

基端部と先端部を有し、且つ、長手方向及び横方向に延長部を有するナノチューブ(120)と、前記ナノチューブ(120)の少なくとも第1部分を支持する支持構造(130)と、その横方向の延長部によって定義されている第1方向において前記ナノチューブに力を作用させる第1手段(140)と、を有するナノチューブ装置(100)であって、前記ナノチューブ(120)の少なくとも第2部分は、前記力が特定のレベルを超過した際に、前記ナノチューブの前記第2部分が曲がり、これにより、前記チューブ(120)とドレイン電極(150)間におけるチューブからドレインへの距離を低減するように、前記構造(130)の前記支持部を超えて突出している、ナノチューブ装置(100)において、前記チューブ(120)とソース電極(110)の間に量子力学現象を引き起こすことができるように、前記チューブ(120)に対する距離(Δzs)を具備した前記ソース電極(110)が配置されていることを特徴とするナノチューブ装置。

IPC (9件)：

H01L 29/66 , B82B 1/00 , H01L 29/78 , B81B 3/00 , H01L 27/10 , H01L 29/06 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , G11C 13/00

FI (8件)：

H01L29/66 Z , B82B1/00 , H01L29/78 301J , B81B3/00 , H01L27/10 451 , H01L29/06 601N , H01L27/04 C , G11C13/00 Z

Fターム (17件)：

3C081BA12 , 3C081BA22 , 3C081BA43 , 3C081BA48 , 3C081EA21 , 3C081EA22 , 3C081EA24 , 5F038AC20 , 5F038AV01 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5F083FZ10 , 5F140AC12 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BB01 , 5F140BD14

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