特許

J-GLOBAL ID：200903019249462380

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  石橋 明彦 ,  大仲 清司 ,  伴 雄三郎 ,  久保 実
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1995001447
公開番号（公開出願番号）：WO1996-003776
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月08日
要約：

【要約】Ga1-xInxN(0≦X≦0.3)からなり、p型不純物およびn型不純物の両方が添加された活性層と、該活性層を挟んで設けられた第1及び第2のクラッド層とを有し、ダブルヘテロ構造を備えた半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

Ga1-xInxN(0≦x≦0.3)からなり、p型不純物およびn型不純物の両方が添加された活性層と、該活性層を挟んで設けられた第1及び第2のクラッド層とを有し、ダブルヘテロ構造を備えた半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18