特許
J-GLOBAL ID：200903019254880866
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198369
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058100
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 優れた膜質を有すると共に、段差への埋込み性能及び平坦性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 酸素/TEOSの比を2以上に設定してプラズマCVD により第1の絶縁膜(14)を形成し、次に有機化合物を含む処理流体で下地処理した後化学気相成長により第2の絶縁膜(15)を形成する。
請求項（抜粋）：
有機シラン及び酸素を原料ガスとするプラズマCVD によって形成した絶縁膜上に、有機シランを原料ガスとする化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、前記プラズマCVD における酸素と有機シランとの比を2以上とし、プラズマCVD によって形成した絶縁膜の表面を有機化合物を含む処理流体で処理した後前記絶縁膜を化学気相成長によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
