特許

J-GLOBAL ID：200903019256250371

光起電力素子の形成方法

発明者： 佐野 政史 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-270616
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092862
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 界面準位に起因する光劣化が減少し、半導体層間の剥離が防止でき、かつ、耐逆バイアス性が高い光起電力素子の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子の形成方法は、シリコン原子を含有し、かつ、結晶構造が非単結晶であるn型、i型、及び、p型の半導体層を積層してなるpin構造体が、基板上に、少なくとも1回以上繰り返し配設された光起電力素子の形成方法において、前記半導体層の各表面のうち少なくとも1つの表面が、酸素原子含有ガスを1〜1000ppm含有した水素ガス、ヘリウムガス、又はアルゴンガスの雰囲気中でアニーリング処理、かつ、該アニーリング雰囲気に100〜3000Gの磁場を印加することを特徴とする。前記アニーリング処理において、温度は50°C〜400°Cが、圧力は0.01Torr〜10Torrが好ましい。また、マイクロ波の周波数は、0.1GHz〜10GHzが望ましい。

請求項（抜粋）：

シリコン原子を含有し、かつ、結晶構造が非単結晶であるn型、i型、及びp型の半導体層を積層してなるpin構造体が、基体上に、少なくとも1回以上繰り返し配設された光起電力素子の形成方法において、前記半導体層の各表面のうち少なくとも1つの表面が、酸素原子含有ガスを1〜1000ppm含有した水素ガス、ヘリウムガス、又はアルゴンガスの雰囲気中でアニーリング処理、かつ、該アニーリング雰囲気に100〜3000Gの磁場を印加することを特徴とする光起電力素子の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 31/04 M ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/324 Z ,  H05H 1/46 B ,  H01L 31/04 F