特許
J-GLOBAL ID：200903019259244712
異種材料成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144729
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【構成】半導体基板1と、成長層に基板の格子定数の値は伝搬しないで、基板の結晶方位の情報のみを伝搬する役目を持つ数nmの単結晶ドット2とアモルファス層3,その上に成長させた異なる材料の単結晶膜4。【効果】Si基板の格子定数はその上に成長させたGaAs膜に伝搬しないのでGaAs膜に転位が入りにくく、転位密度は従来の二段階成長法に較べ、二桁から三桁ほど小さくできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に数nm程度の単結晶のドットをアモルファス等により埋め、前記ドットの先端を核としてアモルファス上に前記半導体基板とは異なる材料の単結晶を成長させることを特徴とする異種材料成長方法。
IPC (2件)：
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