半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-000573
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264187
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】強誘電体膜,強誘電体膜などのリーク特性などを改善するための半導体装置の製造方法や、動作範囲の広い半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板101の上に、シリコン酸化膜102,Pt膜103x,Ti膜104x,PZT膜105xを順次堆積する。Si基板101をチャンバ106内に設置し、ミリ波108をPZT膜105xに照射する。ミリ波の照射によって、PZT膜等の誘電体膜を局所的に加熱することにより、Si基板101上のデバイスに悪影響を与えることなく、誘電体膜のリーク特性などが改善される。

請求項（抜粋）：

誘電体膜を要素として含む半導体装置の製造方法であって、基板の上方に上記誘電体膜を形成する工程(a)と、上記工程(a)の後で、上記誘電体膜の上方から、1GHz以上で100GHz以下の範囲にある電磁波を照射する工程(b)とを含み、上記工程(a)の後で上記工程(b)の前に、上記誘電体膜の上に、上記誘電体膜よりも誘電率又は誘電損失が大きいカバー膜を形成する工程と、上記工程(b)の後で、上記カバー膜を除去する工程とをさらに含む半導体装置の製造方法。

IPC (15件)：

H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (11件)：

H01L 21/316 P , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 434 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371 , H01L 27/08 102 C , H01L 27/04 C , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 B

Fターム (135件)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA09 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BE08 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BH20 , 5F058BJ04 , 5F083AD11 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP57 , 5F083ER22 , 5F083FR02 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA07 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR25 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F101BA01 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BH09 , 5F101BH11 , 5F101BH16 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG34 , 5F110GG37 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110NN02 , 5F140AA16 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC10 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF60 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG41 , 5F140BG46 , 5F140BJ05 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CF05

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-337323 出願人：ローム株式会社
特開平3-22430号公報(第2図)
薄膜トランジスタの製造方法及びアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-197658 出願人：株式会社東芝

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