特許
J-GLOBAL ID：200903019262722188
気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319581
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158100
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】従来の縦型の気相成長装置においては、反応ガスの供給口がノズル状であったため、ノズル近傍での反応ガスの分解反応が安定せず、また、反応ガスの供給口と排出口の位置が非対称であるため、サセプタに載置した基板の堆積膜の膜厚や特性にバラツキが生ずるという問題があった。【解決手段】原料ガス導入口7とサセプタ4との間にガス流路形成体20を設け、原料ガスをガス導入口7からガス流路形成体20の中央部に向けて導入し、ガス流路形成体20で一旦放射状に拡散させた後、サセプタ4の基板3載置面上をサセプタ4の中央部に向かって流すことにより、ガスの流れが均一となり、その結果、堆積膜の膜厚や特性のバラツキを小さくすることが出来た。
請求項（抜粋）：
反応容器と、該反応容器内に設けられた基板を保持するサセプタと、該反応容器内に原料ガスを供給するガス導入口と、反応容器内で不要になったガスを排気する排気口を有する縦型(パンケ-キ型)反応炉において、前記ガス導入口とサセプタとの間にガス流路形成体が設けられており、ガス導入口から流路形成体中央部に向けて導入される原料ガスを流路形成体で一旦放射状に拡散させてから、サセプタの基板載置面上をサセプタ中央部に向かって導くように構成したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (6件)：
C30B 35/00
, C23C 16/44
, C23C 16/52
, C30B 25/14
, C30B 29/42
, H01L 21/205
C30B 35/00
, C23C 16/44 D
, C23C 16/52
, C30B 25/14
, C30B 29/42
, H01L 21/205
