特許
J-GLOBAL ID:200903019266188798

太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-281682
公開番号(公開出願番号):特開平8-148706
出願日: 1994年11月16日
公開日(公表日): 1996年06月07日
要約:
【要約】【目的】 太陽電池に関し、酸化物半導体を用いて太陽電池を構成した場合のn型半導体とp型半導体との界面に於ける不整合性を解消し、損失を小さくしようとする。【構成】 n-SrTiO3 層1及びIn2 O3 中間層2及びIn2 O3 中間層2との間でショットキ障壁を生成するITO薄膜電極3が順に積層された構造を備える。
請求項(抜粋):
第一の酸化物半導体層及び酸化物中間層及び前記酸化物中間層との間でショットキ障壁を生成する第二の酸化物半導体層が順に積層された構造を備えてなることを特徴とする太陽電池。

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