特許

J-GLOBAL ID：200903019267272628

絶縁膜の形成方法

発明者： 福田 永 ,  足利 欣哉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267636
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218014
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板上にSi-Ge系半導体薄膜を形成し、かつその薄膜を窒化または酸窒化する。【構成】 反応炉内を、水素希釈SiH<SB>4 </SB>および水素希釈GeH<SB>4 </SB>の混合ガス雰囲気とし、清浄化処理済みの基板15を赤外線で加熱しながら基板15上にSi<SB>1-x </SB>Ge<SB>x </SB>薄膜62(0<x<1)を形成し、連続して、NH<SB>3 </SB>からなる反応性ガス雰囲気中で基板15を赤外線で加熱しながら前記Si<SB>1-x </SB>Ge<SB>x </SB>薄膜62を窒化し、絶縁膜として窒化Si-Ge膜を形成する。

請求項（抜粋）：

反応炉内で、シリコンの下地上に形成したSi-Ge(シリコン-ゲルマニウム)系半導体薄膜に絶縁膜を形成する方法において、反応炉内を、シリコンを含有する反応性ガス、およびゲルマニウムを含有する反応性ガスを含む雰囲気とし、かつ下地の加熱処理を行ないながら、前記下地上にSi<SB>1-x </SB>Ge<SB>x </SB>薄膜(ただし、Geの組成比xは、0<x<1を満足する値である。)を形成する工程と、前記反応炉内を、窒素を含有する反応性ガスを含む雰囲気とし、かつ下地の加熱処理を行ないながら、前記Si<SB>1-x </SB>Ge<SB>x </SB>薄膜を窒化する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/165 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 H