特許
J-GLOBAL ID：200903019268977595
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-239713
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059446
出願日： 2005年08月22日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 フォトダイオードに対して遮光膜がずれた位置に形成されてしまった場合にも、フォトダイオードへの入射光量を可能な限り確保できるようにした固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 フォトダイオード(PD)2が形成された半導体基板上の平面に、遮光膜を形成した後に、xy平面におけるPD2の中心oと遮光膜の開口7の中心rとの距離pを測定する。ここで、xy平面とは、半導体基板の表面に平行な面である。そして、測定した距離pと、PD2の一辺の長さaと、遮光膜の開口7の一辺の長さbとに基づいて、オンチップレンズ4の中心rを算出し、その位置を外縁中心とするオンチップレンズ4を形成する。オンチップレンズ4の外縁中心は、PD2と開口7とをxy平面に投影したときに、重なった領域Rの中心とされる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
フォトダイオードを含んでなる画素が半導体基板の受光領域に2次元に配列された固体撮像装置の製造方法であって、
前記フォトダイオードが形成された半導体基板上の平面に、当該フォトダイオードに光を入射させるための開口を有する遮光膜を形成する工程と、
前記フォトダイオードと前記遮光膜とを、前記半導体基板の表面に平行な面に投影したときの、前記フォトダイオードの中心と前記遮光膜の開口中心との距離pを測定する工程と、
前記距離pと、前記フォトダイオードの一辺の長さaと、前記遮光膜の開口の一辺の長さbとに基づいて、オンチップレンズの中心位置を算出する工程と、
前記遮光膜上の平面に、前記算出した中心位置を外縁中心とするオンチップレンズを形成する工程とを備え、
前記算出したオンチップレンズの中心位置は、前記フォトダイオードと前記開口とを前記平行な面に投影したときに、当該フォトダイオードと開口とが重なった領域の中心であることを特徴とする、固体撮像装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 D
, H04N5/335 U
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118FA06
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024EX43
, 5C024GX03
, 5C024GZ36
