特許

J-GLOBAL ID：200903019270210943

半導体絶縁膜用及び平坦化膜用組成物並びにその膜の形成方法

発明者： 南波 洋一 ,  松井 二三雄 ,  松岡 正己
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-315691
公開番号（公開出願番号）：特開平8-143818
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：

【要約】【構成】 数平均分子量500〜10,000のポリメチルシルセスキオキサン、ポリメチルシルセスキオキサンを溶解する有機溶媒及び水酸化テトラC1〜C4アルキルアンモニウムを(A):(B)=2:98〜50:50(重量比)、((A)+(B)):(C)=1:3×10-5〜1:1×10-8(重量比)の割合で含有する半導体絶縁膜用または平坦化膜用組成物、及び前記組成物を半導体基板上にコーティングした後、100〜200°Cで有機溶媒を蒸発させ、次に200〜500°Cで加熱硬化させる工程を含む半導体絶縁膜または平坦化膜の形成方法。【効果】 本発明の組成物を使用する本発明の半導体の絶縁膜及び/または平坦化膜成方法によれば、塗膜硬化収縮率を最低限に抑えることができ、1〜2回のコーティングを行なうだけで完全平坦化レベルの膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

(A)数平均分子量500〜10,000のポリメチルシルセスキオキサン、(B)前記ポリメチルシルセスキオキサンを溶解する有機溶媒及び(C)水酸化テトラC1〜C4アルキルアンモニウムを(A):(B)=2:98〜50:50(重量比)、((A)+(B)):(C)=1:3×10-5〜1:1×10-8(重量比)の割合で含有することを特徴とする半導体絶縁膜用または平坦化膜用組成物。

IPC (3件)：

C09D183/04 PMT ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768