特許

J-GLOBAL ID：200903019272134080

半導体装置及びその製造方法

発明者： 淡路 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228607
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086206
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 シリコンとシリサイドとの界面を平坦化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 多結晶シリコン層12(シリコン層)と、多結晶シリコン層12上に形成された微結晶シリサイド層13と、微結晶シリサイド層13上に形成され、微結晶シリサイド層13の結晶粒より粒径の大きい結晶粒からなるシリサイド層14とを有する。

請求項（抜粋）：

シリコン層と、前記シリコン層上に形成された微結晶シリサイド層と、前記微結晶シリサイド層上に形成され、前記微結晶シリサイド層の結晶粒より粒径の大きい結晶粒からなるシリサイド層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G