半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-032162
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227873
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】レジスト膜の現像で生ずるレジスト残留物を除去する際の膜減りを最小限に抑制することにより、レジスト膜をマスクとしてエッチングする素子のパターン寸法精度を高める。【構成】フォトレジスト膜4の現像後に生じたレジスト残留物5を平行平板型プラズマ装置でHeガスを用いて発生させたプラズマを照射して除去することにより、フォトレジスト膜4の膜減りを抑えることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した導電膜上にレジスト膜を塗布して露光・現像する工程と、前記レジスト膜に生じたレジスト残留物に平行平板型プラズマ処理装置でHeガスを用い発生させたプラズマを照射して前記レジスト残留物を除去する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記導電膜をドライエッチングしパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , G03F 7/40 , H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/302 H , G03F 7/40 , H01L 21/304 341 D , H01L 21/302 C

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