特許
J-GLOBAL ID：200903019275119103
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-079609
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283641
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 高速かつ制御性に優れた高集積の半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】 第1のMISFETに直列に接続され、ゲート5,6が第1のMISFETのドレイン7にダイオードを介して接続された第2のMISFETのゲート絶縁膜3のソース7側をその他の部分より薄膜4に形成した。
請求項（抜粋）：
第1のMISFETのドレインと第2のMISFETのソースとが接続され、上記第1のMISFETのドレインあるいは上記第2のMISFETのソースと上記第2のMISFETのゲートとがダイオードを介して接続され、上記第1のMISFETのソースがビット線に接続され、上記第1のMISFETのゲ-トがワ-ド線に接続され、上記第2のMISFETのドレインが電源線に接続された半導体記憶装置において、上記第2のMISFETのゲート絶縁膜のソース側をその他の部分より薄膜に形成したことを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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