特許

J-GLOBAL ID：200903019283666369

マイクロスクラッチのない平滑面を形成するための半導体ウェハの化学機械的平坦化方法

発明者： トロン・トライ・ドーン ,  マルコム・グリフ ,  ローレンス・ディー・シュルツ
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028663
公開番号（公開出願番号）：特開平5-277908
出願日： 1993年01月25日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：

【要約】【目的】ローディング効果を除去し、ウェハからミクロ単位のスクラッチを取除くことのできる半導体ウェハの化学機械的平坦化プロセスを提供する。【構成】 硬質で圧縮率の低い材料の研磨パッドでウェハを平坦化し、次いで、柔らかく圧縮性の材料の研磨パッドで平坦化時に形成されたウェハ上のマイクロスクラッチを取除く工程を含む半導体ウェハの化学機械的平坦化(CMP)方法である。【効果】 硬質で圧縮率の低いパッド材は、平坦化工程中にウェハの表面構造に沿って変型することがなく、ウェハは単一な接触面に沿って平坦化される。従って、パッド材が圧縮したり、不均一なウェハ面を作るローディング効果が除去される。

請求項（抜粋）：

研磨プラテンに対して、半導体ウェハを回転させる工程;研磨プラテンに取り付けた硬質で圧縮率の低い研磨パッドの平坦な面をウェハに接触させてウェハ表面を平坦化する工程;および次に、前記平坦化工程中に形成されたマイクロスクラッチを、研磨プラテンに取付けた硬度が低く、圧縮性の研磨パッドで取除く工程を有することを特徴とする化学機械的平坦化方法。