特許

J-GLOBAL ID：200903019284166343

バイポーラトランジスタ及びその製造方法並びにダーリントントランジスタ及びその製造方法

発明者： 高田 育紀 ,  引地 敏彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045458
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243259
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 総合電気特性を良好にしたダーリントントランジスタ及び高電圧特性を改良したバイポーラトランジスタを得る。【構成】 前段側トランジスタチップTFにおけるコレクタ高比抵抗層11のコレクタ比抵抗ρN<SP>- </SP> (F) は80Ωcm、コレクタ膜厚tN<SP>- </SP> (F)は120μmに設定され、後段トランジスタチップTRにおけるコレクタ高比抵抗層13のコレクタ比抵抗ρN<SP>- </SP> (R) は45Ωcm、コレクタ膜厚tN<SP>- </SP> (R)は160μmに設定される。【効果】 ρN<SP>- </SP> (F) >ρN<SP>- </SP> (R) 及びtN<SP>- </SP> (F)<tN<SP>- </SP> (R)を満足するため、総合電気特性がよいダーリントントランジスタが得られ、ρN<SP>- </SP> (R) /tN<SP>- </SP> (R) <0.6を満足するため、高電圧特性のよいバイポーラトランジスタが得られる。

請求項（抜粋）：

コレクタ低比抵抗層と、コレクタ低比抵抗層上に形成された、前記コレクタ低比抵抗層の比抵抗より比抵抗が高いコレクタ高比抵抗層と、前記コレクタ高比抵抗層の表面に形成されたベース領域と、前記ベース領域の表面に形成されたエミッタ領域とを備え、前記コレクタ高比抵抗層の比抵抗ρ(Ωcm)と前記ベース領域直下のコレクタ高比抵抗層の膜厚t(μm)との比ρ/tが0.6以下であることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/082

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/08 101 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭51-150979
  
• 特開昭47-026977