スパッタエッチング制御用のプラズマ成形プラグ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-523322
公開番号（公開出願番号）：特表平8-508852
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】内向きプラグ構造(52)であって、プラズマ(48)の付近のイオン化プラズマ(48)を含む処理室(30)の中に延びてイオン化プラズマ(48)を物理的に置き換え、室(30)の内部で支持してスパッタエッチングするウエーハ(40)の表面の上のイオン化ガス粒子(15)の濃度を選択的に制御して変える、プラグ構造を開示する。イオン化プラズマ(48)の濃度を変えることにより、ウエーハ(40)の表面のスパッタエッチング速度を選択的に制御して変えることができる。内向きプラグ構造(52)は処理室(30)のカバー(34)の一部として成形してもよいし、または処理室(30)の開口を通してプラズマ内に挿入する、分離可能で移動可能なユニットでもよい。イオン化プラズマ(48)を置き換えて成形するための内向きプラグ(52)の長さ、直径、形はいろいろのものを用いることができる。この発明の別の実施態様では、プラグは永久磁石または電磁石(80)を備え、内向きプラグ(52)により物理的に置き換えることに加えて、プラズマ(48)を更に磁気的に置き換えて成形する。

請求項（抜粋）：

イオン化ブラズマを用いてウエーハ表面をスパッタエッチングする処理室であって、ベースと、前記ベースを囲み、スパッタエッチングするウエーハの付近のイオン化プラズマを含む囲いを作るカバー手段と、前記囲いの中にあって、エッチングするウエーハを支持する手段と、前記ウエーハを電気的にバイアスする手段と、前記囲いの中にイオン化ガスを導入する手段と、前記ガスをイオン化する手段であって、前記バイアスされたウエーハとは逆の極性に帯電したイオン化ガス粒子を含むプラズマを与えることにより、前記イオン化粒子をプラズマから前記ウエーハに引きつけ、前記ウエーハの表面に衝突させて前記ウエーハ表面をスパッタエッチングする、手段と、前記囲みの内部の前記イオン化プラズマ付近にあるプラグであって、前記プラズマを選択的に制御して置き換え、前記ウエーハ表面に対する前記イオン濃度を選択的に制御して変えることにより、ウエーハ表面全体のスパッタエッチング速度を選択的に制御して変える、プラグと、を備える処理室。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01J 37/34 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 C , C23F 4/00 G , H01J 37/34 , H05H 1/46 L

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