特許

J-GLOBAL ID：200903019296598249

ショットキーバリアダイオードの製造方法

発明者： 三田村 昌典
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008678
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224410
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】ショットキーバリアダイオードのガードリング層に囲まれた部分をエッチングして薄くし、順方向改善する場合に、平滑なバリア界面を形成して逆電流を小さくする。【構成】ふっ酸、硝酸、酢酸の1:3:1の比の混合液を用いてエッチングし、さらにエッチング速度を小さくすることにより平滑面を得る。

請求項（抜粋）：

第一導電形のシリコン層の中央部が外周部に比して薄く、その薄い部分に隣接する厚い部分の表面層に第二導電形の領域を有し、薄い部分で第一導電形層表面に接触してショットキーバリアを形成する金属層が周囲の第二導電形領域にも接触するショットキーバリアダイオードの製造方法において、第一導電形層の薄い部分をふっ酸、硝酸および酢酸の混合比1:3:1の混合液を用いたエッチングにより形成することを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。