特許

J-GLOBAL ID：200903019296705169

圧電性半導体とその製造方法

発明者： 浅井 裕次 ,  今井 修
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239651
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090034
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 音響電気効果素子として用いるに適当な電気伝導度等の特性を有する圧電性半導体を提供する。【構成】 ZnOを主成分とする単結晶から成る圧電性半導体である。その電気伝導度が、10-3〜10-61/Ω・cmである。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする単結晶から成る圧電性半導体であって、電気伝導度が10-3〜10-6 1/Ω・cmであることを特徴とする圧電性半導体。

IPC (5件)：

H01L 41/08 ,  C30B 7/10 ,  C30B 29/16 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 Z