特許
J-GLOBAL ID：200903019298312814
基板処理装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
油井 透
, 阿仁屋 節雄
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282673
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119786
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】バルブの切替えによらず、反応物又は非反応物を高速で切替えることができるようにする。【解決手段】反応室1内で基板3を支持台6に支持させ、基板3の外周にプレート11を載置して、基板3上にガス流を形成するように構成する。基板支持台6は回転機構40により回転する。反応室1内に常時反応物または非反応物を給する複数の供給口を設ける。第2の供給口7は第2の反応物を、第1の供給口8は第1の反応物を供給する。第2の供給口7と第1の供給口8との間に反応室1内に非反応物を供給する第3の供給口9、10を設ける。また、支持台6全周からガスを排気する排気通路35を設ける。各供給口7〜10は反応室1内で、基板表面の外側の排気通路35に向かって反応物または非反応物を供給するよう配置される。プレート11は、一方の反応物供給口7と対面するときは他方の反応物供給口8とは対向しない非円形をしており、その回転により、基板面外から基板面内への反応物の切替えを行えるように構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を処理する反応室と、
前記反応室内で前記基板を支持する支持台と、
前記基板の周囲に載置されるプレートと、
基板支持台上の基板と前記プレートとを回転させる回転機構と、
前記反応室内に反応物を供給する複数の反応物供給口と、
前記複数の反応物供給口の間に設けられ前記反応室内に非反応物を供給する複数の非反応物供給口と、
前記支持台に支持される基板の面外となる前記支持台の周囲に設けられて、前記反応室内に供給される反応物及び非反応物を排気する排気通路と
を備えた基板処理装置であって、
前記複数の反応物供給口及び前記複数の非反応物供給口は、共に前記反応室内で前記支持台に支持される基板の面外に対して前記反応物又は前記非反応物を供給するよう構成されるものであり、
前記プレートは、プレートの回転中心に対して非対称に形成されるものであることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030GA02
, 4K030GA06
, 4K030KA45
, 5F045AA04
, 5F045AA08
, 5F045AB31
, 5F045AC08
, 5F045BB08
, 5F045DP04
, 5F045EF08
, 5F045EF09
, 5F045EF20
, 5F045EG01
, 5F045EH18
, 5F045EM10
