SiC単結晶基板等の研磨による超平滑結晶面形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-097341
公開番号（公開出願番号）：特開2004-299018
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】熱的、化学的、機械的な表面処理により結晶性表面を得ることが十分にできない材料においては、結晶性表面が得られない為に、その面上へのデバイス形成、その面上への単結晶膜成長において求める特性が得られなかった。【構成】水に対してコロイダルシリカを5〜40重量%含有し、pHを7〜10に調整したアルカリ水性研磨液を用いて、回転バフ研磨法又は超音波振動研磨法によりSiC、III族窒化物、酸化物、又は誘電体からなる単結晶基板を研磨することにより表面部分の結晶性が単結晶ではない欠陥層を剥離して結晶性部分と欠陥層部分との境界面からなる超平滑面を形成することを特徴とする単結晶基板の超平滑結晶面形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水に対してコロイダルシリカを5〜40重量%含有し、pHを7〜10に調整したアルカリ水性研磨液を用いて、回転バフ研磨法又は超音波振動研磨法によりSiC、III族窒化物、酸化物、又は誘電体からなる単結晶基板を研磨することにより表面部分の結晶性が単結晶ではない欠陥層を剥離して結晶性部分と欠陥層部分との境界面からなる超平滑面を形成することを特徴とする単結晶基板の超平滑結晶面形成方法。

IPC (6件)：

B24B1/00 , B24B29/00 , B24B37/00 , B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/304

FI (9件)：

B24B1/00 B , B24B29/00 E , B24B37/00 E , B24B37/00 H , B24B37/04 Z , B24B57/02 , H01L21/304 621D , H01L21/304 622D , H01L21/304 622W

Fターム (16件)：

3C047FF08 , 3C047GG15 , 3C049AA07 , 3C049AA16 , 3C049AC04 , 3C049BA02 , 3C049CA04 , 3C049CB01 , 3C049CB03 , 3C058AA07 , 3C058AA16 , 3C058BA02 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (13件)

研磨方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-107901 出願人：株式会社日立製作所
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-069189 出願人：株式会社デンソー
半導体デバイス用研磨装置及び半導体デバイスの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-293155 出願人：株式会社ニコン

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引用文献：

審査官引用 (2件)

SiC単結晶の基板化に関する技術
「Chemomechanical Polishing of Silicon Carbide」

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