不揮発性抵抗切替メモリのための堆積方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-108749
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311356
出願日： 2005年04月05日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】不揮発性抵抗切替メモリのための堆積プロセスを提供すること。【解決手段】本発明は、永続性がある導電状態の間で切り替え可能なスイッチング材料を堆積するプロセスに関する。本発明は、さらに、デジタル情報を格納するためのスイッチング材料を備える超小型電子デバイスすなわち不揮発性抵抗切替メモリに関する。本プロセスは、400°Cより低い温度で、標準CMOS堆積技術によってスイッチング材料を堆積するステップを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

それぞれの状態が永続性である少なくとも第1の導電状態と第2の導電状態の間で切り替え可能なスイッチング材料を堆積する方法であって、400°Cより低い温度で標準CMOS堆積技術によって前記スイッチング材料を堆積するステップを備える方法。

IPC (1件)：

H01L27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (11件)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (3件)

国際出願公開番号WO00/15882号
米国公開特許公報20030148545A1号
国際出願公開番号WO00/49659号

審査官引用 (5件)

テーパード・コンタクトを有するマルチビット単一セルメモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-538209 出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-006321 出願人：シャープ株式会社, 太陽誘電株式会社
情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-600308 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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