特許

J-GLOBAL ID：200903019342700908

レーザアニール装置

発明者： 石川 弘美 ,  永野 和彦 ,  岡崎 洋二 ,  原田 明憲 ,  山川 博充
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社 ,  富士写真光機株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-162819
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064066
出願日： 2003年06月06日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】連続駆動が可能で出力安定性に優れた半導体レーザを用い、良好な結晶特性を備えキャリア移動度の高いポリシリコン膜を再現性良く且つ高速に形成することができるレーザアニール装置を提供する。【解決手段】少なくとも1つのGaN系半導体レーザによって、波長350〜450nmのレーザビームを出射する複数の発光点が生じるように構成されたレーザ光源と、該レーザ光源から出射されたレーザビームでアニール面上を走査する走査手段と、を備えるようにレーザアニール装置を構成する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのGaN系半導体レーザによって、波長350〜450nmのレーザビームを出射する複数の発光点が生じるように構成されたレーザ光源と、 該レーザ光源から出射されたレーザビームでアニール面上を走査する走査手段と、 を備えたレーザアニール装置。

IPC (5件)：

H01L21/268 ,  G02F1/01 ,  H01L21/20 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323

FI (5件)：

H01L21/268 J ,  G02F1/01 D ,  H01L21/20 ,  H01S5/02 ,  H01S5/323 610

Fターム (26件)：

2H079BA01 ,  2H079CA02 ,  2H079CA24 ,  2H079KA13 ,  2H079KA18 ,  2H079KA20 ,  5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA11 ,  5F052BA14 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052FA19 ,  5F052FA28 ,  5F052JA01 ,  5F073AB02 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA09 ,  5F073CA02 ,  5F073EA13 ,  5F073EA29 ,  5F073FA06 ,  5F073FA30