特許
J-GLOBAL ID:200903019351731794

マスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-102703
公開番号(公開出願番号):特開平9-292701
出願日: 1996年04月24日
公開日(公表日): 1997年11月11日
要約:
【要約】【課題】 本発明は露光用マスクの製造方法において、特に近接せるパターンを正確に形成する方法に関し、補助パターンを用いずに露光パターンを得る。【解決手段】 露光されるマスクパターンのうち、マスクパターンの幅、或いは隣接するマスクパターンの間隔が光の波長に起因する解像限界未満であるかを判別し、幅、或いは間隔が解像限界未満である部分については、元のパターンよりも幅が広い新たなパターンを発生させる。
請求項(抜粋):
露光されるマスクパターンのうち、相互に隣接するマスクパターンの間隔が光の波長に起因する解像限界未満であるかを判別し、当該間隔が解像限界未満である部分については、元のパターンよりも幅が広い新たなパターンを発生させることを特徴とするマスクの製造方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P
引用特許:
審査官引用 (3件)

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