半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-226716
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067611
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、配線層が多層化された半導体装置、特に配線層用導電膜にAl合金を用いた半導体装置の製造方法に関し、配線層用のAl合金により配線層領域の凹凸を平坦化するときに、位置合わせマーク領域の凹凸を平坦化することなく、フォトマスクを位置合わせすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】第1の配線層用導電膜10を形成し、第1の配線層用導電膜10上に層間絶縁膜12を形成し、層間絶縁膜12上にAl合金の流動性を促進するための補助金属膜14を形成し、補助金属膜14上にAl合金からなる第2の配線層用導電層18を形成する半導体装置の製造方法において、金属層14を形成した後に、フォトマスクを位置合わせするための凹凸形状の位置合わせマークが形成された位置合わせマーク領域における補助金属膜14をエッチング除去するように構成する。

請求項（抜粋）：

第1の配線層用導電膜と、前記第1の配線層用導電膜上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、上層に形成されるAl合金の流動性を促進するための補助金属膜と、前記補助金属膜上に形成され、表面が平坦化されたAl合金からなる第2の配線層用導電膜とを有する半導体装置において、フォトマスクを位置合わせするための凹凸形状の位置合わせマークが形成された位置合わせマーク領域には、前記補助金属膜が形成されておらず、前記第2の配線層用導電膜の表面が平坦化されることなく前記位置合わせマークの凹凸形状が保たれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/30 301 M , H01L 21/88 K

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