選択再成長領域を有する化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：蛭川昌信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-111590
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061268
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】再成長界面付近におけるキャリア蓄積層及び高抵抗層の発生を最小限に抑え、FET特性の安定性・再現性を向上させる。【構成】ゲートを耐熱性金属で形成し、該ゲートの上面及び両側面を絶縁層で覆い、ソース・ドレイン領域を該ゲート側面絶縁層の厚みに相当する距離だけ離して形成するIIIーV族化合物半導体装置の製造方法において、ソース・ドレイン領域を、有機金属気相成長法を用いた成長炉内で塩化水素ガスと有機第III族化合物ガスを同時に流してエッチングした後、大気に曝すことなく連続して低抵抗の半導体層を埋め込むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ゲートを耐熱性金属で形成し、該ゲートの上面及び両側面を絶縁層で覆い、該ゲート両側にソース・ドレイン領域を埋め込んで形成するIIIーV族化合物半導体装置の製造方法において、該ソース・ドレイン領域を、有機金属気相成長法を用いた成長炉内で塩化水素ガスと有機III族化合物ガスとを同時に流してエッチングした後、連続して低抵抗の半導体層を埋め込み再成長することを特徴とする選択再成長領域を有する化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭60-136264
特開平2-032532
特開平3-201575

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