特許
J-GLOBAL ID：200903019358028657
ベンザルコニウム系カチオン界面活性剤の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069172
公開番号（公開出願番号）：特開平8-268982
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年10月15日
要約：
【要約】【目的】 匂いが優れたベンザルコニウム系カチオン界面活性剤の製造方法の提供。【構成】 3級アミンを還元剤で処理した後、水中でベンジルハライドと反応させるか、水中で3級アミンとベンジルハライドとを、還元剤及び/又は酸化防止剤の存在下で反応させ、次いでスチーム又は水をカチオン界面活性剤に対して10〜 500重量%用いた蒸留により低沸分を留去して、一般式(3) で表されるベンザルコニウム系カチオン界面活性剤を得る。【化1】(式中、R1は炭素数6〜22のアルキル基、アルケニルあるいはアルキルフェニル基、R2およびR3は炭素数1〜18のアルキル基、X はハロゲンを示す。)
請求項（抜粋）：
一般式(1)【化1】(式中、R1は炭素数6〜22の直鎖または分岐のアルキル基、アルケニル基あるいはアルキルフェニル基を示し、R2およびR3は同一または異なって炭素数1〜18の直鎖または分岐のアルキル基を示す。)で表される3級アミンを、還元剤で処理した後、水中で、一般式(2)【化2】(式中、 Xはハロゲンを示す。)で表されるベンジルハライドと反応させ、次いでスチームまたは水をベンザルコニウム系カチオン界面活性剤に対して10〜 500重量%用いた蒸留により低沸分を留去することを特徴とする、一般式(3)【化3】(式中、R1, R2, R3および Xは前記の意味を示す。)で表されるベンザルコニウム系カチオン界面活性剤の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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