特許
J-GLOBAL ID：200903019362279400
溝型のゲート電極および本体領域内で付加的に高度にドープされた層を有する電界効果型トランジスタ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-590223
公開番号（公開出願番号）：特表2002-533936
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2002年10月08日
要約：
【要約】溝型のゲート電極を有する電界効果型トランジスタ装置およびその製造法が記載されており、この場合ソースの導電性もしくはチャンネル領域内での使用電圧に影響を及ぼすために使用される、付加的に高度にドープされた層は、本体領域内でソースの下方に設けられている。それによって、制御できない破壊電流ならびにラッチアップ効果は、回避されうる。
請求項（抜粋）：
- 第1の導電型の基板領域(1)、- 基板(1)の第1の表面(3)から基板(1)内に延在する少なくとも1つの溝(2)、- 少なくとも1つの溝(2)の壁面を覆う絶縁層(4)、- 溝(2)を充填しかつゲート電極を形成する導電材料(5)、- 溝(2)に沿って配置されかつ基板(1)の第1の表面(3)から基板(1)内に延在する第1の導電型のソース領域(6)、- 第1の導電型と反対の導電型である第2の導電型の本体領域(7)、この場合この本体領域(7)は、ソース領域(6)の下方に延在しかつ溝(2)と境を接しており、- 本体領域(7)と境を接している第1の導電型のドレイン領域(10)を備えた、溝型のゲート電極を有する電界効果型トランジスタ装置において、本体領域(7)内で第2の導電型の少なくとも1つの高度にドープされた領域(8)が、少なくとも部分的にソース領域(6)の下方に配置されており、この場合には、ソース領域(6)および少なくとも部分的に溝(2)と境を接していることを特徴とする、溝型のゲート電極を有する電界効果型トランジスタ装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 653
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 655
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 655 G
, H01L 29/78 655 Z
