特許

J-GLOBAL ID：200903019363082619

固体撮像装置

発明者： 中井 正章 ,  小野 秀行 ,  佐藤 朗 ,  田中 治彦 ,  尾崎 俊文
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236075
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075089
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【構成】暗電流を抑圧するために、ホトダイオードとなるN型拡散層(43)を完全に基板内に埋め込んだ。また、スメア雑音を抑圧するために、垂直CCDレジスタ下のN型拡散層(46)、高濃度P型拡散層(45)の深さを浅くすると共に、高濃度P型拡散層(45)の下にホトダイオードとなるN型拡散層(43)を延在させ、電荷をホトダイオードに蓄積する。【効果】固体撮像装置の暗電流雑音、スメア雑音を抑圧できる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に2次元状に配列された、光電変換素子と上記光電変換素子に蓄積された電荷を一括して、一旦読み出し、転送する第1の読み出し手段と、さらに外部に転送するための第2の読み出し手段とを有する固体撮像装置において、上記光電変換素子は第1導電型の上記半導体基体上に上記第1導電型と逆導電型の第2導電型の第1の不純物層、第1導電型の第2の不純物層、さらに上記半導体基体の表面に形成した第2導電型の第3の不純物層から構成し、上記第2の不純物層は上記半導体基体内に完全に埋め込まれており、かつ、上記第2の不純物層は上記第1の読み出し手段の下の領域まで延在していることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335