特許
J-GLOBAL ID：200903019363472336
レーザモジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177929
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022918
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】半導体レーザ素子が密閉容器内に設置されてなるレーザモジュールにおいて、容器内の汚染物質を除去し、良好な特性および信頼性を得る。【解決手段】ステム1上に、サブマウント5に半導体レーザ素子6が接着されたヒートシンク4と、モニタ用フォトダイオード10とを設置し、これをプラズマ照射装置の真空槽60内の固定台65に設置する。大気から初期の真空度が1×10-2Torr以下になるまで排気(63)後、マイクロ波62、および1×10-2〜1×10-1Torrの、アルゴンガス61を導入して10〜1000W程度の電力を印加してプラズマ64を発生させ、約60分以下の時間でプラズマ照射を行う。最後に、無反射コーティングが施されたガラス窓3を備えた容器2によって、ドライエア(N2=80%、O2=20%)雰囲気でリングウェルド封止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
容器内に半導体レーザ素子を設置して気密封止するレーザモジュールの製造方法であって、
前記容器を気密封止する前に、少なくとも前記容器および半導体レーザ素子にプラズマを照射することを特徴とするレーザモジュールの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F073AB27
, 5F073AB28
, 5F073CA02
, 5F073EA28
, 5F073FA02
, 5F073FA06
, 5F073FA29
, 5F073FA30
