特許
J-GLOBAL ID：200903019370305259
光電変換素子用材料、光電変換素子ならびにルテニウム錯体化合物
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084511
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296170
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】長波長領域まで光吸収特性を示し、半導体微粒子を効率よく増感し、耐久性に優れる光電変換素子用材料を提供する。【解決手段】一般式(1)により表される配位子を含有する金属錯体化合物を含む光電変換素子用材料。〔式中、R1〜R6はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアリ-ル基または置換基を有していてもよいヘテロアリ-ル基を表し、R7およびR8は置換基を表し、a1およびa2は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、a1が2以上のとき、R7は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成してもよく、a2が2以上のとき、R8は同じでも異なっていてもよく互いに連結して環を形成してもよく、a1およびa2が共に1以上のときR7とR8が互いに連結して環を形成してもよい。〕【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)により表される配位子を含有する金属錯体化合物を含むことを特徴とする光電変換素子用材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032EE16
, 5H032EE17
, 5H032EE20
