光電変換装置用基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保田耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213628
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066438
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】テクスチャ溝を備えかつ低温成膜手段により欠陥の少ない半導体被膜を均一に成膜できる光電変換装置用フィルム基板の製造方法を提供すること。【構成】テクスチャ溝を構成するエッチピット10が形成された単結晶シリコン1の表面にスパッタリング法により酸化シリコン薄膜2を成膜し、かつ、30重量%KOH水溶液のエッチング剤を用いて酸化シリコン薄膜と単結晶シリコン表面をエッチング処理し、テクスチャ溝を残したままその頂部と谷部が曲面形状に加工された基板用マスター3を製造する。次に、この基板用マスター3からテクスチャ溝が転写されたスタンパを製造しこのスタンパをポリイミドフィルムへホットプレスして、テクスチャ溝を備えその頂部と谷部が曲面形状に加工された高分子フィルム基板を製造する方法。そして、この基板表面には欠陥の少ない膜特性良好な非晶質シリコン層を簡便に成膜することが可能になるため、得られた成膜型太陽電池の光電変換効率を向上できる効果を有している。

請求項（抜粋）：

テクスチャ溝を備えた高分子フィルムで構成される光電変換装置用基板の製造方法において、エッチピットが形成された単結晶シリコンの表面に低温成膜法により薄膜を形成し、かつ、結晶シリコンに対するエッチングレートが上記薄膜に対するエッチングレートより高いエッチング剤を用いて薄膜と単結晶シリコン表面をエッチング処理し、上記エッチピットの頂部と谷部をそれぞれ曲面形状に加工して基板用のマスターを作成するマスター作成工程と、上記マスターの表面にスピンコート法にて高分子フィルム層を形成し、かつ、この高分子フィルム層を上記マスターから剥離した後、マスターのエッチピットが転写された上記高分子フィルム層を焼成して光電変換装置用基板を作成する基板作成工程、を具備することを特徴とする光電変換装置用基板の製造方法。

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