特許
J-GLOBAL ID：200903019373676550
CCD固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257284
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082934
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 暗電流を低減し、暗電流の各画素ごとの分散を低減してマイクロホワイト欠点を低減しうる高感度のCCD固体撮像素子を提供する。【解決手段】 本発明は、基板内に形成され、一定の深さを有する信号電荷転送用第1導電型の埋込チャネル領域と、第1チャネル領域と隣接して形成されたチャネルストップ用第2導電型の第1高濃度不純物領域と、第1チャネル領域上に形成された暗電流電荷転送用第2導電型の第1表面チャネル領域と、第1高濃度不純物領域上に形成され、前記表面チャネル領域の暗電流電荷を除去するための第1導電型の第2高濃度不純物領域と、第2高濃度不純物領域と第2チャネル領域との間の基板内に形成され、一定の深さを有する第2導電型の第2表面チャネル領域とを含む。
請求項（抜粋）：
基板と、基板内に形成され、一定の深さを有する信号電荷転送用第1導電型の埋込チャネル領域と、前記埋込チャネル領域に隣接して形成させたチャネルストップ用第2導電型の第1高濃度不純物領域と、前記埋込チャネル領域上に形成させた暗電流電荷転送用第2導電型の第1表面チャネル領域と、前記第1高濃度不純物領域上に形成され、前記第1表面チャネル領域の暗電流電荷を除去する第1導電型の第2高濃度不純物領域と、第2高濃度不純物領域と第1表面チャネル領域との間に形成され、一定の深さを有する第2導電型の第2表面チャネル領域と、を含むことを特徴とするCCD固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
